Физики Новосибирска изобрели новейшую технологию создания флеш-накопителя, способного передавать данные в два раза быстрее, и хранить информацию дольше существующих аналогов. Добиться таких поразительных результатов получилось с помощью мультиграфена.
Графен — перспективный материал, представляющий собой графитовую плоскость. В данном случае используется несколько таких слоев, каждый толщиной в атом. В будущем, по прогнозам ученых, это соединение найдет массовое применение в электронике и нанотехнологиях.
Мультиграфен может служить запоминающей средой, сохраняя электрический разряд. Это станет основой для создания флешки будущего. Также это устройство будет состоять из тоннельного и блокирующего слоев. Эффективность накопителя измеряется величиной энергии, затрачиваемой на выведение электрона. Именно в этой способности графен не имеет аналогов.
Важнейшим свойством можно считать большую работу выхода для электронов. Поэтому, между мультиграфеном и оксидом кремния увеличена площадь барьера, и новосибирские исследователи увидели в этом повод использовать мультифаген как карту памяти.
Новая технология, как прогнозируют ученые, поможет в оптимизации накопителя, в использовании более тонкого туннельного слоя. На данный момент для флеш-карт используют кремниевую основу, ее величина барьера с оксидом кремния ниже. Туннельный и блокирующий слои необходимы быть толще, из-за этого скорость действия получается ниже.
Пока мультиграфеновые флеш-носители не выйдут в промышленное производство. Так как нет средств для создания завода, а средств нужно около нескольких миллиардов долларов. Но над технологией продолжают активную работу.
