Специалисты из новосибирского Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова (ИФП) Сибирского отделения Российской академии наук разработали технологию, которая позволяет создавать флешки будущего. Работать они будут в два-три раза быстрее современных аналогов, а также способны дольше сохранять информацию. Это стало возможным благодаря использованию мультиграфена.
В данном случае речь идет о нескольких слоях графена, который сейчас считают одним из самых перспективных материалов для многих отраслей: нанотехнологиях, электронике и так далее. По словам старшего научного сотрудника ИФП СО РАН, кандидата физико-математических наук Юрия Новикова, мультиграфен – модная тема и с точки зрения прикладной науки, и с точки зрения фундаментальной.
Физики из Новосибирска рассматривают мультиграфен в качестве запоминающей среды для хранения электрического заряда, благодаря чему они способны стать основой для флешек нового поколения. Кроме мультиграфена в них используют туннельный слой из оксида кремния и блокирующий слой. Юрий Новиков отметил, что для флеш-памяти на основе мультиграфена нужен тонкий туннельный слой, а это повышает быстродействие в два-три раза. К этому добавляется более низкое напряжение перепрограммирования, а также большая работа выхода, которая позволяет долго хранить инжектированный заряд.
Говорить о промышленном производстве мультиграфеновых флеш-носителей пока преждевременно. Ученые занимаются только фундаментальными исследованиями. Опытные образцы уже существуют, с ними работают, но для коммерческого применения нужно построить завод с современными технологиями, который будет стоить около пяти миллиардов долларов.